當地時間2024年9月5日，美國(guó)商務(wù)部産業與安(ān)全局（BIS）發布修訂美國(guó)《出口管理(lǐ)條例》（EAR）的拟議規則，拟新(xīn)增量子計算、半導體(tǐ)制造設備、環繞栅場效應晶體(tǐ)管(GAAFET)技(jì )術及增材制造設備（3D打印）相關物(wù)項的管控要求，并征求公衆意見，公衆意見期為(wèi)60天。本次拟議規則的修訂主要包括以下幾個方面：

* 一、新(xīn)增量子計算相關物(wù)項并實施新(xīn)的許可(kě)要求和年度報告要求；

* 二、增加2個先進半導體(tǐ)制造設備相關物(wù)項（3B001.q和3B903）并修訂先進半導體(tǐ)制造設備相關物(wù)項的許可(kě)要求；

* 三、新(xīn)增環繞栅場效應晶體(tǐ)管(GAAFET)技(jì )術并實施新(xīn)的許可(kě)要求和年度報告要求；

* 四、新(xīn)增增材制造設備（3D打印）和相關軟件、技(jì )術；

* 五、新(xīn)增IEC（Implemented Export Controls）許可(kě)例外；

* 六、在國(guó)家安(ān)全（National Security，NS）和區(qū)域穩定（Regional Stability，RS）的管控原因下新(xīn)增兩項許可(kě)要求。

具體(tǐ)規定如下：

一、量子計算物(wù)項

（一）新(xīn)增列管物(wù)項及對應“ECCN” 編碼

ECCN 3A901: 未在3A001列明的電(diàn)子物(wù)項；

ECCN 3A904: 低溫冷卻系統和部件；

ECCN 3B904: 低溫晶圓探測設備；

ECCN 3C907：外延材料包括具有至少一個外延生長(cháng)層的“襯底”以及其他(tā)指定材料；

ECCN 3C908：含其他(tā)指定材料的矽或鍺的氟化物(wù)、氫化物(wù)、氯化物(wù)；

ECCN 3C909: 矽、氧化矽、鍺或氧化鍺，包含任何其他(tā)指定材料；

ECCN 4A906: 量子計算機及其相關的“電(diàn)子組件”和“部件”。

（二）許可(kě)要求

出于國(guó)家安(ān)全（NS）和區(qū)域穩定（RS）原因，對全球任何目的地國(guó)家/地區(qū)出口或再出口受 EAR 管轄并屬于以上ECCN編碼的物(wù)項時，均需要申請許可(kě)證。對特定物(wù)項的視同出口和視同再出口行為(wèi)授權以特定的排除（exclusion）。（詳見下文(wén)）

（三）通用(yòng)許可(kě)證6号（General License in General Order No. 6）

新(xīn)設通用(yòng)許可(kě)證6号，以授權向特定的最新(xīn)國(guó)籍國(guó)或永久居住國(guó)是D:1或D:5國(guó)家組的外國(guó)人（非為(wèi)美國(guó)出口管制黑名單主體(tǐ)）視同出口和視同再出口特定量子計算軟件和技(jì )術的行為(wèi)。

（四）年度報告要求

針對上述通用(yòng)許可(kě)證6号，BIS設立了年度報告要求，以便美國(guó)政府出于國(guó)家安(ān)全原因進行監督。

（五）許可(kě)例外

新(xīn)設IEC許可(kě)例外适用(yòng)于上述物(wù)項向特定國(guó)别的出口。

二、先進半導體(tǐ)制造設備

（一）新(xīn)增兩項半導體(tǐ)設備相關物(wù)項

新(xīn)增3B001.q：未被3B001.g列明的為(wèi)集成電(diàn)路設計的“EUV”掩模和“EUV” 标線(xiàn)，且具有3B001.j列明的掩膜“基闆胚料”[1]。

新(xīn)增3B903: 為(wèi)半導體(tǐ)器件或集成電(diàn)路成像而設計的掃描電(diàn)子顯微鏡 (Scanning Electron Microscope，SEM) 設備[2],具體(tǐ)見下表：

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（二）修訂許可(kě)證要求

針對3B001.c.1.a各向同性幹式蝕刻設備, c.1.c 各向異性幹式蝕刻設備和3B001.q (未被3B001.g列明的為(wèi)集成電(diàn)路設計的“EUV”掩模和“EUV”線(xiàn), 3B001.j列明的有一個掩模“襯底空白”)。

3B001.c.1.a, 3B001.c.1.c,和3B001.q中指明的物(wù)項适用(yòng)國(guó)家安(ān)全（NS）和區(qū)域穩定（RS）原因，對全球任何目的地國(guó)家/地區(qū)出口或再出口受 EAR 管轄并屬于以上ECCN編碼的物(wù)項時，均需要申請許可(kě)證。

（三）許可(kě)例外

* 取消對3B001.c.1.a, 3B001.c.1.c和3B001.q的GBS(Shipments to Country Group B)許可(kě)例外。

* 新(xīn)設IEC許可(kě)例外适用(yòng)于上述物(wù)項向特定國(guó)别的出口。

三、環繞栅場效應晶體(tǐ)管(GAAFET)技(jì )術

（一）新(xīn)增ECCN

ECCN 3E905: 控制GAAFET集成電(diàn)路的開發或生産技(jì )術

（二）許可(kě)證要求

出于國(guó)家安(ān)全（NS）和區(qū)域穩定（RS）原因，對全球任何目的地國(guó)家/地區(qū)出口或再出口受 EAR 管轄并屬于以上ECCN編碼的物(wù)項時，均需要申請許可(kě)證。對特定物(wù)項的視同出口和視同再出口行為(wèi)授權以特定的排除（exclusion）。

（三）通用(yòng)許可(kě)證6号

新(xīn)設通用(yòng)許可(kě)證6号授權向A:5 或A:6國(guó)家組的特定最終用(yòng)戶出口、再出口或境内轉移上述物(wù)項的行為(wèi)。

新(xīn)設通用(yòng)許可(kě)證6号以授權向特定的最新(xīn)國(guó)籍國(guó)或永久居住國(guó)是D:1或D:5國(guó)家組的外國(guó)人（非為(wèi)美國(guó)出口管制黑名單主體(tǐ)）視同出口和視同再出口上述物(wù)項的行為(wèi)。

（四）年度報告要求

針對上述通用(yòng)許可(kě)證6号，BIS設立了年度報告要求，以便美國(guó)政府出于國(guó)家安(ān)全原因進行監督。

（五）許可(kě)例外

新(xīn)設IEC許可(kě)例外适用(yòng)于上述物(wù)項向特定國(guó)别的出口。

四、增材制造設備（additive manufacturing equipment）

新(xīn)增ECCN 2B910:增材制造設備被用(yòng)于生産金屬或金屬合金組件；

新(xīn)增ECCN 2D910:未在其他(tā)地方列明，“專門設計”或修改用(yòng)于“開發”或“生産”ECCN 2B910中所列明的設備的軟件；

新(xīn)增ECCN 2E910:未在其他(tā)地方列明，“專門設計”或修改用(yòng)于“開發”或“生産”ECCN 2B910中所列明的設備的技(jì )術；

對上述3個物(wù)項基于國(guó)家安(ān)全（NS）和區(qū)域穩定（RS）實施許可(kě)證要求，對全球任何目的地國(guó)家/地區(qū)出口或再出口受 EAR 管轄并屬于以上ECCN編碼的物(wù)項時，均需要申請許可(kě)證。同時，新(xīn)設IEC許可(kě)例外适用(yòng)于上述物(wù)項向特定國(guó)别的出口。

五、拟新(xīn)增IEC許可(kě)例外

BIS在EAR第740.24節新(xīn)增IEC許可(kě)例外（Implemented Export Controls），授權特定物(wù)項出口、再出口或境内轉移至實施同樣出口管制标準的國(guó)家。适用(yòng)該IEC許可(kě)例外，需要同時屬于以下國(guó)家範圍和物(wù)項範圍：

1、國(guó)家範圍

具體(tǐ)适用(yòng)的國(guó)家需要經美國(guó)聯邦登記局局長(cháng)（the Director of the Federal Register）批準。這些國(guó)家均為(wèi)采取與美國(guó)同等出口管制政策的美國(guó)盟友國(guó)。

2、物(wù)項範圍

包括屬于以下ECCNs的物(wù)項: 2B910, 2D910, 2E903, 2E910, 3A901, 3A904, 3B001.c.1.a, 3B001.c.1.c, 3B001.q, 3B903, 3B904, 3C907, 3C908, 3C909, 3D001 (針對3B001.c.1.a, 3B001.c.1.c, 3B001.q), 3D002 (針對3B001.c.1.a, 3B001.c.1.c), 3D901, 3D907, 3E001 (針對 3B001.c.1.a, 3B001.c.1.c, 3B001.q), 3E901, 3E905, 4A906, 4D906, and 4E906.以及CCL清單中IEC一欄顯示“是”（“IEC: Yes”）的物(wù)項。

需要注意的是，BIS将根據實際情況對上述國(guó)家範圍和物(wù)項範圍進行修訂和公示。

六、拟在國(guó)家安(ān)全（NS）和區(qū)域穩定（RS）的管控原因下新(xīn)增兩項許可(kě)要求

1、許可(kě)證要求

出于國(guó)家安(ān)全（NS）和區(qū)域穩定（RS）原因，向全球任何國(guó)家/地區(qū)出口或再出口受 EAR 管轄并具有特定ECCN編碼的物(wù)項時（CCL清單中Country Chart部分(fēn)對應标注了Worldwide control的物(wù)項），均需要申請許可(kě)。

2、視同出口和視同再出口的排除适用(yòng)

上述許可(kě)證要求不适用(yòng)于與下述A段和B段一緻的“技(jì )術”或“軟件”的視同出口或視同再出口行為(wèi)。

A. 祖父條款[3]的排除

在正式在聯邦公告上公布規則之前，視同出口或視同再出口某一技(jì )術或軟件（包括其未來更新(xīn)或修訂版本）至某一雇員（employees）或承包方（contractors）無需因NS原因申請許可(kě)證。但以下情況除外，即如果該外國(guó)人最新(xīn)的國(guó)籍國(guó)或永久居住國(guó)是D:1或D:5國(guó)家組的國(guó)家，并且涉及ECCN為(wèi) 3E905的技(jì )術，此種情況下仍需要申請許可(kě)證。

B. 視同出口和視同再出口的排除情形

* i. 有限排除（limited exclusion）

如果某一外國(guó)人最新(xīn)國(guó)籍國(guó)或永久居住國(guó)是D:1或D:5國(guó)家組的國(guó)家，且涉及ECCNs 2D910; 2E910; 3D001 (ECCN 3B001.q中“EUV”掩模和光栅的“軟件”); 3D901 (參閱ECCNs 3A901.b和3B904查看量子物(wù)項的“軟件”，參閱ECCN 3B903掃描電(diàn)子顯微鏡); 3D907 “軟件”被設計用(yòng)于提取“GDSII”或等效數據; 3E001 (ECCN 3B001.q中“EUV”掩模和光栅的“技(jì )術”); 和3E901 (針對3A901, 3A904, 3B904, 3C907, 3C908和3C909中的量子物(wù)項“技(jì )術”，以及針對3B903中的掃描電(diàn)子顯微鏡); 3E905 (“技(jì )術”根據通用(yòng)技(jì )術說明用(yòng)于“開發”或“生産”集成電(diàn)路或器件，使用(yòng)“GAAFET”結構); 和“技(jì )術”(針對ECCNs 4D906 or 4E906中的量子物(wù)項)時，仍受到NS原因的管控，需要申請許可(kě)證。

* ii. 完全排除（full exclusion）

對于ECCNs為(wèi)3D001、3D002和3E001中針對各向異性幹法等離子體(tǐ)蝕刻設備以及3B001.c.1.a及c.1.c各向同性幹法蝕刻設備的“技(jì )術”及“軟件”，上述許可(kě)證要求完全排除視同出口或視同再出口無需申請許可(kě)的情形[4]。

3、許可(kě)審查政策

1）針對A1、A5、A6國(guó)家組的國(guó)家，許可(kě)審查政策為(wèi)推定批準；

2）針對D1、D5國(guó)家組的國(guó)家，許可(kě)審查政策為(wèi)推定拒絕；

3）針對其餘國(guó)家，許可(kě)審查政策為(wèi)逐案審查。

七、合規建議

持續關注該規則進展。本次的拟議規則暫未生效，仍在公衆意見收集階段。我們建議相關企業動态追蹤和關注該拟議規則，同時研究現有文(wén)本，提前做好業務(wù)調整。

開展供應鏈篩查和合規管理(lǐ)工作(zuò)。建議相關企業根據最新(xīn)的物(wù)項技(jì )術參數排查産品和供應鏈設備、軟件和技(jì )術，對上下遊企業、産品最終用(yòng)途、産品涉美國(guó)受管制技(jì )術、軟件、設備的情況，全面篩查和識别供應鏈中可(kě)能(néng)存在的風險。

[注] 

[1] q. “EUV” masks and “EUV” reticles, designed for integrated circuits, not specified by 3B001.g, and having a mask “substrate blank” specified by 3B001.j;

[2] Scanning Electron Microscope (SEM) equipment designed for imaging semiconductor devices or integrated circuits

[3] “祖父條款”是一種規定，指某些人或者某些實體(tǐ)已經按照過去的規定，從事一些活動，新(xīn)的法規可(kě)以免除這些人或者這些實體(tǐ)的義務(wù)，不受新(xīn)法律法規的約束，繼續依照原有的規定執行。

[4] There is a full deemed export or deemed reexport exclusion from the license requirement in this paragraph (a)(5)(i) for “technology” and “software” in ECCNs 3D001, 3D002, and 3E001 for anisotropic dry plasma etch equipment and isotropic dry etch equipment in 3B001.c.1.a and c.1.c.